El equipo EUV de ASML señala un inminente despegue de 2 nm GAA en la planta Taylor de Samsung

La esperada planta de semiconductores de Samsung en Taylor, Texas, se acerca al momento clave: encender el equipo de vanguardia y sacar chips buenos de forma sostenida. El factor determinante tiene nombre propio: ASML.

Sin sus escáneres de litografía de ultravioleta extremo (EUV), la fabricación real a 2 nanómetros con transistores gate-all-around (GAA) no pasa de un PowerPoint. Con EUV – y con una puesta a punto meticulosa del proceso – Samsung puede saltar del piloto a un volumen significativo para diseños de IA y móviles.

Las señales de rampa son cada vez más nítidas. ASML ha publicado vacantes en el área de Austin, entre ellas para field service engineer, con una misión explícita: «apoyar el arranque inicial del equipo EUV de Samsung». En esta industria, los anuncios de empleo suelen marcar el calendario mejor que muchas notas de prensa. Poner en marcha un EUV es una coreografía larga: preparación del sitio y cimentación con aislamiento de vibraciones, cualificación de energía y gases, certificación de salas limpias, entrega del escáner en módulos, reensamblaje y, después, un bucle de calibración, control de dosis, optimización del overlay y caza de defectos. La creación de un equipo dedicado a Taylor, más una cuadrilla de servicio que valida los sistemas antes de enviarlos, indica que instalación y bring-up entran en la recta final.

¿Por qué tanta prisa? Taylor está llamada a fabricar chips de alto rendimiento para IA y otros nodos avanzados, y todo apunta a que el primer producto comercial incluirá el Exynos 2600. Informes previos ya hablaban de un arranque de producción limitado a finales de septiembre – en el entorno de 15 000 obleas al mes – mientras se eleva el rendimiento (yield). Es el guion clásico de la vanguardia: se comienza con capacidad contenida y se crece a medida que baja la densidad de defectos, se estabilizan los photo stacks y la co-optimización diseño-tecnología (DTCO) lima las asperezas iniciales.

En el centro de esa historia está EUV. Trabajando a 13,5 nm de longitud de onda, simplifica patrones que en DUV exigirían múltiples exposiciones, lo que reduce errores de alineación y variabilidad de proceso. En GAA, donde hay que definir nanosheets con precisión quirúrgica y envolver el canal con un gate uniforme, la exactitud litográfica se traduce directamente en corriente de conducción, fugas y fiabilidad. Incorporar más escáneres EUV no solo sube el caudal; también abre la ventana de proceso, algo imprescindible para escalar sin comprometer calidad. A ello se suman mejoras en pélículas (pellicles), recetas de exposición y software de metrología e inspección.

El contexto competitivo añade presión. Se comenta que Qualcomm está evaluando muestras del Snapdragon 8 Elite Gen 5 fabricadas en el proceso de 2 nm GAA de Samsung. Si se cumplen los objetivos de rendimiento, consumo y área (PPA), junto con una estabilidad de yields suficiente, Qualcomm podría volver a contar con Samsung como socio de fundición, diversificando riesgos y asegurando volumen de primera línea. Si la rampa se atasca, estos programas quedan en un limbo de evaluación. Por eso, acelerar la llegada de más máquinas EUV de ASML – y de equipos expertos para montarlas y mantenerlas – es tan crítico como cualquier cifra de especificaciones.

Para el centro de Texas, el impacto va más allá de un chip concreto. Una línea EUV en producción activa arrastra un ecosistema entero: proveedores de gases y químicos especiales, componentes de precisión, metrología avanzada y talento local formado en litografía, vacío y control de contaminación. Cada escáner exige ciclos continuos de servicio, actualizaciones, mejoras de pellicle y ajustes de software. En otras palabras, una vez cualificado el EUV, la inercia juega a favor: Taylor empezará con diseños prioritarios como Exynos 2600 y ampliará catálogo conforme se «endurezcan» los corners del proceso y maduren las bibliotecas de diseño.

La conclusión es clara: el despliegue de un equipo específico de ASML para Taylor, reforzado por funciones de prueba pre-embarque y la mención explícita al arranque, señala el paso de la preparación a la ejecución. Cuando los escáneres queden validados y la ventana de proceso sea lo bastante amplia, Samsung estará en posición de acelerar su 2 nm GAA, apuntalar sus hojas de ruta de IA y móvil y competir por nuevos contratos de foundry. La nueva etapa no consiste en «pulsar un botón», sino en sostener un ritmo estable y con buen yield que convierta este megacomplejo texano en un pilar de la cadena global de nodos avanzados.