Samsung completa el diseño del proceso 2 nm GAA de segunda generación para Exynos y otras aplicaciones

Samsung ha completado recientemente el diseño básico de su proceso 2 nm GAA (Gate-All-Around) de segunda generación, que se utilizará en diversas aplicaciones, incluidos los futuros chipsets Exynos.

La compañía sigue avanzando en su estrategia de fundición, y los expertos prevén que estos avances podrían permitir que Samsung se convierta en un competidor serio para TSMC en los próximos años.

Este nuevo proceso, denominado SF2P, es una evolución del proceso 2 nm GAA de primera generación, que actualmente está en fase de pruebas.

Según un informe reciente de ZDNet, Samsung está acelerando sus operaciones de fundición, y la producción en masa de su prototipo Exynos 2600 ya está en marcha. Las divisiones LSI y semiconductores de la empresa están buscando lograr un rendimiento del 50 % en los próximos meses, lo que es una señal prometedora de su progreso. Si la fase de pruebas tiene éxito, la producción en masa del proceso 2 nm GAA de segunda generación comenzará el próximo año.

El SF2P promete varias mejoras con respecto a su predecesor. Samsung afirma que esta nueva tecnología ofrecerá un aumento del 12 % en el rendimiento, una reducción del 25 % en el consumo de energía y una disminución del 8 % en el área. Si estos beneficios se cumplen, esto mejorará significativamente las capacidades de los chips de Samsung y podría atraer el interés de los principales actores de la industria de los semiconductores.

Si bien el informe no menciona clientes específicos, se especula que Qualcomm podría convertirse en un cliente clave. Se espera que el Snapdragon 8 Elite Gen 2, que se diseñará exclusivamente para el Galaxy S25, se produzca utilizando las obleas 2 nm GAA de Samsung. Si esto se confirma, Samsung podría reforzar su estrategia de dual-sourcing y trabajar tanto con TSMC como con Samsung.

A pesar de los avances prometedores, la empresa enfrenta una fuerte competencia, especialmente con los planes ambiciosos de TSMC, incluida la producción de chips de 16 nm el próximo año y un rendimiento del 90 % para la SRAM N2. Aún está por ver si Samsung podrá superar estos desafíos y convertirse en un verdadero competidor en el mercado de fundición.

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