El Samsung Galaxy S26 Ultra apunta a ser mucho más que una simple actualización: traerá un salto notable en velocidad y eficiencia. Según el reconocido filtrador Ice Universe, el próximo buque insignia de Samsung incorporará memoria LPDDR5X de última generación capaz de alcanzar velocidades de hasta 10,7 gigabits por segundo (Gbps). 
Esta memoria sería fabricada por Micron utilizando su avanzado proceso 1γ (1-gamma).
En comparación, el Galaxy S25 Ultra -al igual que la mayoría de los smartphones Android de gama alta con Snapdragon Elite Mobile Platform- utiliza LPDDR5X producida con el proceso 1β (1-beta) de Micron, con un máximo de 9,6 Gbps
. La nueva versión no solo es más rápida, sino que además reduce el consumo de energía hasta en un 20%, lo que se traduce en una mayor autonomía.
Micron asegura que su 1γ LPDDR5X es la memoria más veloz del mercado, ideal para tareas de inteligencia artificial y aplicaciones que requieren un alto procesamiento de datos, ofreciendo respuestas más rápidas y un rendimiento casi instantáneo. Su grosor de solo 0,61 mm deja espacio para una batería más grande, un sensor de cámara de mayor tamaño u otras mejoras internas.
También existe la posibilidad de que Samsung use su propia LPDDR5X de 10,7 Gbps fabricada en un proceso de 12 nm, con beneficios similares en rendimiento y eficiencia. El año pasado, parte de la serie S25 incluyó chips Micron debido a problemas de sobrecalentamiento en los módulos de Samsung, pero estos ya habrían sido solucionados. Un informe de junio señaló que Micron estaba probando su memoria para la serie S26, por lo que los usuarios disfrutarán de alto rendimiento sin importar el proveedor.
Además de la mejora en la RAM, se espera que el Galaxy S26 Ultra luzca un diseño más fino y elegante. Con el éxito del S25 Ultra, estas mejoras en velocidad, autonomía y estética podrían convertirlo en uno de los lanzamientos más atractivos de Samsung.