Samsung se prepara para dar un gran paso en la carrera de la memoria de alta velocidad (HBM) con el lanzamiento de muestras de su HBM4 para AMD y NVIDIA a finales de este mes. 
Tras un inicio complicado con la HBM3, marcado por retrasos en la validación y poca integración con NVIDIA, la compañía coreana parece decidida a cambiar el rumbo.
Las expectativas son altas, y no sin razón. Samsung ha mejorado significativamente la tasa de rendimiento gracias a su tecnología DRAM de sexta generación, conocida como 1c. En lugar de apresurarse, la estrategia actual se centra en ofrecer un producto estable y confiable que cumpla con las exigencias de centros de datos y aplicaciones de inteligencia artificial.
Por su parte, SK hynix adopta una postura más cautelosa. Aunque completaron el desarrollo de su DRAM 1c en agosto de 2024, planean aumentar la producción solo después de lanzar la HBM4E, utilizando por ahora el proceso probado 1b. Además, Micron también se prepara para entrar en el mercado con su propia solución HBM4, intensificando la competencia.
Los analistas señalan que si Samsung consigue la validación de NVIDIA, la producción podría crecer rápidamente para cubrir la demanda de las plataformas Rubin de NVIDIA y Instinct MI400 de AMD. La mayor competencia podría además reducir los precios de la memoria HBM, beneficiando a todo el sector.
Aunque Samsung ha experimentado cambios rápidos en el pasado, especialmente con la HBM3, la empresa parece decidida a aprovechar esta nueva oportunidad.