SK hynix está a punto de dar un gran salto en la fabricación de DRAM, llevando su 1c DRAM a seis capas de litografía EUV, un récord que podría dejar atrás a Samsung y abrir el camino hacia la próxima generación con tecnología High-NA EUV.
Según ZDNet Korea, este cambio total a seis capas EUV marcará nuevos estándares para la memoria DDR5 y HBM de alto rendimiento. 
La litografía EUV, con una longitud de onda de 13,5 nm, permite grabar circuitos extremadamente precisos y reducir pasos en el multipatronado. Hasta ahora, la DRAM combinaba capas EUV y DUV, pero SK hynix apostará por completo al EUV para su 1c DRAM, buscando mayor rendimiento de fabricación, mejor desempeño y más ganancias.
Aunque la 1c DRAM aún no se encuentra en productos de consumo, la compañía ya estudia módulos DDR5 con más capacidad y velocidades mucho mayores. A largo plazo, SK hynix planea integrar EUV de forma central en las futuras generaciones 1d y 0a DRAM, lo que permitirá adoptar High-NA EUV y ofrecer soluciones más densas, rápidas y eficientes en consumo de energía.
Se espera que la gran presentación de la 1c DRAM llegue con HBM4, ofreciendo mejoras enormes para la inteligencia artificial, los centros de datos y la computación de alto rendimiento. Más que una simple respuesta a la competencia, esta estrategia agresiva de EUV busca redefinir el mercado de la DRAM por completo.