SK hynix está preparando módulos de memoria GDDR7 de 24 GB, lo que permitirá aumentar significativamente la capacidad de VRAM para las futuras tarjetas gráficas. 
Durante su reciente conferencia de resultados del segundo trimestre de 2025, la empresa compartió sus avances en el sector de la memoria DRAM.
El informe financiero mostró que las entregas de DRAM y NAND flash fueron mayores de lo esperado, lo que llevó a los mejores resultados trimestrales de la empresa en un tiempo.
El anuncio más destacado fue la introducción de los módulos de memoria GDDR7 de 24 GB, que aumentarán la capacidad de memoria de las tarjetas gráficas de próxima generación. En comparación con los chips actuales de 16 GB (2 GB), los módulos de 24 GB (3 GB) ofrecerán un 50 % más de memoria, lo que permitirá manejar cargas de trabajo de IA más exigentes y juegos de próxima generación. Además, se espera que el GDDR7 también impulse la velocidad de transferencia, con velocidades de 30+ Gbps convirtiéndose en algo más común. Aunque no se esperan soluciones de más de 40 Gbps a corto plazo, el aumento en la capacidad de memoria tendrá un gran impacto en el rendimiento.
Fabricantes de GPU como NVIDIA tendrán la flexibilidad de elegir entre varios socios de memoria, incluidos SK hynix, Samsung y Micron. Samsung ya ha comenzado a producir estos módulos de memoria, que también se han encontrado en sitios de venta. Es probable que esta memoria se utilice en las futuras tarjetas gráficas de la serie “RTX 50 SUPER” de NVIDIA, que se espera que se lancen a finales de este año o principios del próximo.
Además del GDDR7, SK hynix también está trabajando para garantizar un suministro oportuno de memoria HBM4 para los sectores de HPC e IA. La compañía planea duplicar su producción de HBM con respecto al año pasado, y se espera que NVIDIA y AMD utilicen HBM4 en sus productos de próxima generación, como las series Rubin y MI400. Las primeras entregas para evaluación ya han comenzado, y SK hynix se está preparando para la producción en masa de estas soluciones de memoria de última generación. Estos desarrollos en GDDR7 y HBM4 forman parte de la estrategia de la empresa para fortalecer su liderazgo en el mercado de memoria para IA, ofreciendo soluciones diversificadas que satisfagan las necesidades tecnológicas del futuro.