SK hynix presentó una nueva generación de memoria DRAM móvil que promete acabar con uno de los mayores dolores de cabeza en los smartphones: el sobrecalentamiento cuando se usan apps de IA o juegos exigentes. 
La compañía desarrolló un High-K Epoxy Molding Compound con adición de alúmina, lo que mejora la conductividad térmica en 3,5 veces y reduce casi a la mitad la resistencia al calor.
Hoy en día, la mayoría de los fabricantes coloca la DRAM justo encima del chip principal para ahorrar espacio y acelerar la transferencia de datos. El problema es que este diseño se calienta demasiado con cargas intensas, lo que provoca pérdida de rendimiento. Con la nueva solución de SK hynix, los móviles podrán mantener la potencia sin bajar la velocidad, al mismo tiempo que consumen menos batería.
Para Lee Gyu-jei, jefe de desarrollo de empaques de la compañía, se trata de algo más que un simple avance técnico: “Es un logro significativo porque resuelve problemas reales que enfrentan los usuarios de smartphones de alto rendimiento. Con esta innovación consolidamos nuestro liderazgo en el mercado de DRAM de próxima generación”.
Aunque no hay fecha oficial de lanzamiento, los analistas creen que veremos esta memoria en los primeros teléfonos insignia a partir de 2026. Y con la creciente demanda de funciones con IA, este podría ser uno de los avances de hardware más importantes de los próximos años.