SK hynix acaba de dar un golpe sobre la mesa en la industria de los semiconductores: se convirtió en la primera empresa en integrar de forma comercial la litografía High-NA EUV de ASML en su producción de memorias. 
El sistema TWINSCAN EXE:5200B ya está operativo en su planta M16 en Icheon, Corea del Sur, y marca un antes y un después para el mercado de DRAM.
La clave está en la resolución. Con una apertura numérica que pasa de 0,33 a 0,55, el nuevo equipo permite imprimir transistores 1,7 veces más pequeños y alcanzar una densidad 2,9 veces mayor frente a los EUV actuales. Esto significa memorias más rápidas, de mayor capacidad y con mejor eficiencia energética, además de un costo por bit más competitivo en el mediano plazo.
El movimiento es estratégico para SK hynix. La compañía se ha consolidado como uno de los principales proveedores de memoria avanzada para clientes como NVIDIA y AMD, que dependen de chips de alto rendimiento para inteligencia artificial y centros de datos. Con High-NA EUV, SK hynix puede simplificar pasos complejos del proceso, acelerar el desarrollo de nuevas generaciones de DRAM y mejorar el rendimiento de sus productos frente a rivales históricos.
Hay también un valor simbólico. Durante años, las mejoras en DRAM se basaban en materiales y arquitecturas, mientras la litografía jugaba un papel secundario. Con High-NA, la óptica pasa a ser la palanca central de innovación. Ser la primera en adoptarla no solo refuerza la imagen de SK hynix como líder tecnológico, sino que la coloca como socio clave de ASML en la optimización de procesos y materiales.
El impacto competitivo es evidente. Samsung, que durante décadas marcó el ritmo del mercado de memorias, ahora enfrenta una presión inédita. Analistas comparan la situación con lo que TSMC provocó en Intel: quien domina la litografía más avanzada gana ventaja estructural en cuota de mercado. Aunque lógica y memoria siguen caminos distintos, la dinámica es similar: liderazgo tecnológico equivale a poder comercial.
¿Y TSMC con los 2 nm? En lógica, High-NA se considera indispensable para nodos por debajo de esa escala. En DRAM, sin embargo, sus beneficios se adelantan: celdas más pequeñas, uniformidad superior y la posibilidad de superar el llamado “límite de capas”.
No obstante, los desafíos persisten: estabilidad de los pellicles, problemas de rendimiento por la mayor magnificación y control del proceso. Precisamente por eso la ventaja del pionero es tan valiosa: cada oblea fabricada ofrece experiencia que los demás aún no acumulan.
Para el usuario final, esto se traduce en módulos de memoria más densos, rápidos y accesibles. En una era donde la IA y el cómputo intensivo son el motor del mercado, SK hynix ha abierto una nueva etapa en la batalla por el futuro de la memoria.